Японский консорциум спроектировал резист, открывающий маршрут к EUV-литографии

Чтобы передвинуть чертеж электронной модели с фотомаски на полупроводниковый микролит, на полупроводниковую пластинку нужно принести светочувствительный источник — резист. Под влиянием потока фотонов источник поменяет собственные характеристики, а дальнейший снеся фоторезиста веществом оставит на пластинке чертеж грядущих цепей для будущего травления.

Предстоящий в 2017–2018 гг. переход на распространение в последнем ультрафиолетовом спектре с протяженностью волны 13,5 hm (EUV) предъявляет свежие условия к фоторезисту. Само жёсткое распространение может испортить кремниевую подложку, из-за этого время экспозиции может быть понижено до порядка одной фемтосекунды (до миллионной части микросекунды). Передовые фоторезисты не готовы работать с такой длинной выдержкой. При этом резист должен сохранять машинную надежность. Просто говоря, передовые консистенции могут быть или машинально постоянными, однако с долгой выдержкой проекции, или слабоустойчивыми, однако с высокой светочувствительностью.

По известию японского консорциума Eidec (EUVL Infrastructure Development Center), разработанного в 2011 году рядом самых крупных региональных организаций, включая Toshiba, Nikon, Fujifilm, Shin-Etsu Chemical и Dai Nippon Printing, создателям удалось сделать резист, оптимальный для EUV-проекции. Вместо комплекта естественных элементов для состава фоторезиста учёные составили примесь из оксидов металлов. Свежий резист для EUV-литографии оказался в 10 раз не менее чувствителен к излучению, чем передовые фоторезисты, применяемые для квалифицированного изготовления с применением EUV-излучения. Практически речь идёт о возможности приблизительно в 10 раз форсировать обработку кремниевых пластинок.

Список главных организаций, участвующих в подготовке EUV-сканеров

Список главных организаций, участвующих в подготовке EUV-сканеров

Необходимо припомнить, что передовые сканеры компании ASML для EUV-литографии оборудуются источниками излучения немного не менее 80 Вт. Это по меньшей мере втрое меньше, чем нужно для компании платного изготовления с применением EUV-оборудования. Ресурс излучения производительностью 80 Вт в однодневном цикле дает возможность за сутки обработать около 1000 пластинок. Длительный курс понижает объёмы обработки до 300–400 пластинок в день. Для аналогии, передовые 193-нм сканеры за сутки готовы обрабатывать до 4000 пластинок. Если выйдет использовать свежий резист, то даже квалифицированные установки ASML будет можно вывести на платную производительность. Это существенно форсирует начало крупного изготовления 10-нм решений в 2017 году и 7-нм — в 2019. Законопроект Мура на грани. Жители страны восходящего солнца помогут его уберечь?

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий