Вышли свежие компоненты о техпроцессе 22-нм FD-SOI

О проектах GlobalFoundries, касающихся изучения 22-нанометровой технологии FD-SOI, мы докладывали не так давно, а в настоящее время в интернете вышли детали про это техпроцессе. Прежде всего, введение FD-SOI доказано: технический процесс будет готов к началу опытного изготовления чипов (tape-outs) в самом начале 2016 года, а общее изготовление начнётся к концу такого же года. Система, имеющая ряд плюсов, будет применяться, преимущественно, для небольших чипов, производимых в огромных объёвзмах. Создатели трудных накопленных моделей едва ли будут заинтересованы в применении 22-нм FD-SOI.

Процесс, проектируемый в стенках GlobalFoundries, будет применять 28-нанометровые BEOL (back-end-of-line, межблочные объединения, контакты и диэлектрики) STMicroelectronics, и FEOL (front-end-of-line, некоторые транзисторы и прочие детали) такого же создателя, однако 14-нанометровые. Необходимо знать, что размеры кристалла устанавливаются как раз техпроцессом BEOL. Как и упомянутые технологии STMicroelectronics, процесс GlobalFoundries 22-нм FD-SOI будет представлять собой планарную технологию. Планарные техпроцессы, как нам известно, требуют меньше слоёв металлизации и не менее элементарные фотомаски, по сравнению с техпроцессами класса FinFET. В отличии от версии процесса STMicroelectronics, процесс GlobalFoundries не будет требовать применения мультипаттернинга (double-patterning, система повышения насыщенности расположения частей), что ощутимо упростит конструирование чипов по данной технологии.

Так как 22-нм FD-SOI применяет 28-нанометровые BEOL, объем кристалла у чипов будет подобен объему кристаллов микросхем, выпускаемых с применением стандартного 28-нанометрового техпроцесса. Значит, для изготовителей трудных и крупногабаритных накопленных моделей резона в проходе на представляемый процесс будет несколько, так как это только повысит себестоимость продукции — подложки FD-SOI стоят дешевле стандартных кремниевых. Однако создатели моделей, нацеленных на дешёвые решения с невысоким уровнем энергопотребления новой технологией интересуются, так как стоимость подготовки останется почти прошлой, благодаря планарности техпроцесса, а мощность при прежней экономичности будет можно ощутимо поднять.

Первоначально GlobalFoundries предложит свежий процесс заказчикам, использующим технологии SOI. С течением времени он будет экономически любопытным для разработчиков микросхем для имеющих механизмов, «Сети-интернет вещей» и прочих подобных решений. Нужно отметить, что проектируемый GlobalFoundries процесс 22-нм FD-SOI несовместим ни с 14-нм, ни с 28-нм техпроцессами FD-SOI, из-за этого заказчикам подобных организаций, как STMicroelectronics и «Самсунг» (лицензировавшей 28-нм FD-SOI у STM), желающим пользоваться технологиями GlobalFoundries, придётся приспособить к ним внешний вид собственных исследований.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий